Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
CWDM3011N TR13 PBFREE
Product Overview
Производитель:
Central Semiconductor Corp
Номер детали:
CWDM3011N TR13 PBFREE-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Подробное описание:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
2748 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12788735
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
CWDM3011N TR13 PBFREE Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Central Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
20mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.3 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
860 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
CWDM3011
Технический паспорт и документы
Ресурсы для проектирования
CWDM3011N Spice Model
Технические характеристики
CWDM3011N
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
-CWDM3011N TR13 PBFREE
-CWDM3011N TR13-DG
-CWDM3011N TR13-DKR
1514-CWDM3011NTR13PBFREETR
-CWDM3011N TR13-DKR-DG
CWDM3011NCT
CWDM3011N TR-DG
-CWDM3011N TR13-CT-DG
CWDM3011N DKR-DG
CWDM3011N TR13 LEAD FREE
-CWDM3011NDKR
-1583-CWDM3011NTR13PBFREECT
CWDM3011NTR
-CWDM3011N TR13
-CWDM3011NCT-DG
CWDM3011NTR-DG
-CWDM3011N DKR-DG
CWDM3011N TR13
CWDM3011NDKR
CWDM3011NCT-DG
1514-CWDM3011NTR13PBFREEDKR
CWDM3011NDKR-DG
CWDM3011N CT-DG
CWDM3011N CT
-CWDM3011NDKR-DG
-CWDM3011N CT-DG
-1583-CWDM3011NTR13PBFREEDKR
-CWDM3011NCT
CWDM3011N DKR
1514-CWDM3011NTR13PBFREECT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
CP373-CMPDM303NH-CT
MOSFET N-CH 30V 3.6A DIE
CMPDM303NH TR
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F
CSD18535KCS
MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
CSD17507Q5A
MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON